【在线棋牌】半导体光刻胶国产化初见曙光任重道远(43页)

光刻胶主要用于半导体、面板、PCB 的光刻步骤。光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶去可溶性部分,最终得到所需图像。

光刻胶主要由高分子材料组成,电子领域应用广泛。光刻胶一般由 4 部分组成:溶剂(solvent),树脂型聚合物(resin/polymer),光引发剂(photoactive compound,PAC),添加剂(Additive)。随着科技的发展,现代电子电路越发向细小化集成化方向发展,随着对线宽的不同要求,光刻胶的配方有所不同,但应用相同,都是用于微细图形的加工,按照不同的下游在线棋牌主要分为 PCB 光刻胶、面板光刻胶、半导体光刻胶。

IC 光刻胶:光刻胶顶峰,用于形成集成电路基础器件与连接电路。随着 IC 集成度水平的提高,光刻技术不断向前发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求,半导体光刻胶通过不断缩短曝光波长的方式,不断提高极限分辨率。目前,世界芯片工艺水平已跨入微纳米级别,光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至 g 线(436nm)、i 线(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及最先进的 EUV(<13.5nm)线水平。其中,g 线和 i 线光刻胶的市场份额最大。随着未来功率半导体、传感器、LED 市场的持续扩大,i 线光刻胶市场将持续增长,而精细化需求的增加将推动 KrF 光刻胶的增长并逐渐替代 i 线光刻胶。ArF 光刻胶对应的 IC 制程节点最为先进,且随着双/多重曝光技术的使用,ArF 光刻胶的市场将快速成长。目前,KrF 和 ArF 光刻胶的核心技术基本被日本和美国企业所垄断。

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